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| 气相传输法生长掺磷、掺锑ZnO 单晶 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 张瑞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张瑞 ; 张方; 赵有文; 董志远; 杨俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张璠; 赵有文; 董志远; 张瑞; 杨俊
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| 用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张瑞英; 王圩; 简永生
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| 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王书荣; 王圩; 刘志宏; 张瑞英; 朱洪亮; 王鲁蜂
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| 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 边静
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| 1.5μm n 型调制掺杂量子阱材料和相关器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 张瑞英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王书荣; 王圩; 刘志宏; 朱洪亮; 张瑞英; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
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| 连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张瑞英; 王圩; 董杰
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