Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 | |
| 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 边静 | |
| 2005-01-19 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2003-06-16 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN03142735.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2733 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王书荣,王圩,朱洪亮,等. 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法[P]. 2005-01-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 03142735.pdf（542KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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