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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 白安琪 ; 胡迪; 丁武昌; 苏少坚; 胡炜玄; 薛春来; 樊中朝; 成步文; 俞育德; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马小涛; 郑婉华; 任刚; 樊中朝; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩伟华; 樊中朝; 杨富华
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| 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 王章涛; 陈媛媛; 李艳萍
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| 一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 樊中朝; 余金中; 陈少武; 杨笛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈媛媛; 余金中; 陈少武; 樊中朝
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| ICP刻蚀技术及其在SOI波导器件制作中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 樊中朝
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈媛媛; 夏金松; 樊中朝; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 余金中; 陈少武; 夏金松; 王章涛; 樊中朝; 李艳萍; 刘敬伟; 杨笛; 陈媛媛
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