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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu QA; Wei TB ; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马平; 魏同波; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波; 王军喜; 李晋闽; 刘酷; 段瑞飞
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| 氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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