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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈少武 ; 余金中; 徐学俊; 黄庆忠; 余和军; 屠晓光; 李运涛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 屠晓光; 陈少武; 余金中
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| 硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 毛容伟; 滕学公; 李传波; 左玉华; 罗丽萍; 成步文; 于金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 毛容伟; 成步文; 李传波; 左玉华; 滕学公; 罗丽萍; 余金中; 王启明
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| Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者: Chen NF; Zhong XG; Zhang M; Lin LY; Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiinsulating Gallium-arsenide Floating-zone Growth Crystal-growth Zero Gravity Microgravity Segregation Stoichiometry Silicon Defects Insb |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁晓甘; 江德生; 边历峰; 潘钟; 李联合; 吴荣汉
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| Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively 会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者: Chen NF; Zhong XG; Lin LY; Chen NF Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiinsulating Gallium-arsenide Crystals Defects |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lin LY; Zhang MA; Zhong XG; Yamada M; Chen NF; Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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