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| 高质量GaAs1-xSbx纳米线及其异质结构的分子束外延生长与表征 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 廖敦渊
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| 1.3μm InAs/GaAs量子点激光器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 袁野
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| 基于摩擦纳米发电机的柔性子器件设计与应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 袁祖庆
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| 基于显微磁圆二色谱的过渡金属二硫族化合物磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 吴元军
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自旋电子学 过渡金属二硫族化合物 谷塞曼劈裂 磁圆二色性 单层 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 鹿方园
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| 铁磁材料磁性调控的实验研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 李媛媛
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| Co2MnAl向半导体自旋极化注入研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 袁思芃
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自旋电子学 自旋注入 半金属 自旋探测 自旋发光二极管 |
| 量子点单光子源的实验研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 李园
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李元金; 张万成; 吴南健
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| 一种高极化度自旋注入与检测结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136535A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-27, 2012-08-29
发明人: 袁思芃
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