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提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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提高铝镓氮材料质量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
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紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
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硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  李传波;  左玉华;  罗丽萍;  成步文;  于金中;  王启明
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半导体光发射与探测耦合组件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军
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一种硅的光探测器件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏永伟;  李国花;  滕学公;  樊志军
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折射率渐变的光子晶体发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人:  赵玲慧;  马平;  甄爱功;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓系发光二极管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  马平;  刘波亭;  甄爱功;  郭仕宽;  纪攀峰;  王军喜;  李晋闽
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