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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XN (Xu Xiao-Na); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Li YQ (Li Yue-Qiang); Chen YL (Chen Yan-Ling); Ji A (Ji An); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Yang FH (Yang Fu-Hua)
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| 内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 李越强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然 ; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 徐晓娜; 李越强; 王晓东; 杨富华
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| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人: 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华
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| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华
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