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| Al(Ga)N材料光致发光性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 王维颖
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Algan 深紫外光致发光 高温热退火 Gan/algan量子阱 界面粗糙 偏振特性 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lv XQ; Jin P ; Wang WY; Wang ZG; Lv, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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| 一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 毛德丰; 李维; 王维颖; 金鹏; 王占国
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| 高In组分AlInN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 李维; 毛德丰; 王维颖; 金鹏; 王占国
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| 提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 王维颖; 毛德丰; 李维; 金鹏; 王占国
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| 一种PiNiN结构晶闸管激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 王火雷; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青
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| 一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川
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| 量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川
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| 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人: 梁平; 胡颖; 刘俊岐; 刘峰奇; 王利军; 张锦川; 王涛; 姚丹阳; 王占国
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| 分布反馈式激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 王火雷; 米俊萍; 于红艳; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青
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