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| 新型InP基光逻辑门的研制 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 张云霄 Adobe PDF(4327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:943/68  |  提交时间:2010/06/07 |
| 制备有序Al纳米颗粒的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 游经碧; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫 Adobe PDF(158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1600/212  |  提交时间:2011/08/31 |
| 图案化纳米模板及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 董敬敬; 张兴旺; 尹志岗; 谭海仁; 高云; 张曙光; 白一鸣 Adobe PDF(1544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1511/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 董敬敬; 张兴旺; 游经碧; 高云 Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1418/251  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/190  |  提交时间:2011/08/31 |
| 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102097106A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 高云; 张兴旺; 尹志岗; 屈盛; 高红丽 Adobe PDF(367Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1349/227  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国 Adobe PDF(1860Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1062/34  |  提交时间:2011/08/31 |