制备有序Al纳米颗粒的方法
游经碧; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)取一衬底;2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯;3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板,形成所需图案;4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅射靶,在模板及暴露出的衬底的上面生长Al薄膜;5)腐蚀掉聚甲基丙烯酸甲酯及模板上面的Al薄膜,保留衬底上面的Al薄膜,完成有序Al纳米颗粒的制备。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910082081.3
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910082081.3
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22265
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
游经碧,张兴旺,高云,等. 制备有序Al纳米颗粒的方法. CN200910082081.3.
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