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一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人:  李盼盼;  李鸿渐;  张逸韵;  李志聪;  梁萌;  李璟;  王国宏
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倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  谢海忠;  梁萌;  马平;  张韵;  王军喜;  李晋闽
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