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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞 ; 马平; 魏同波; 林郭强
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| 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平
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| 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 焦春美; 于英仪; 赵凤瑗
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| 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 赵凤瑗; 焦春美; 于英仪
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 马龙; 王立彬; 陈宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 郭伦春; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 伊晓燕; 郭金霞; 马龙; 王立彬; 陈宇; 刘志强; 王良臣
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