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| 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993
发明人: 陈志刚; 张 杨; 杨富华
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| 高频GaN 基HEMT 的设计与实现 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 陈志刚
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| Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗
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| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 熊志刚; 金爱子; 陈弘达; 张道中
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| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林
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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 熊志刚; 孙增辉; 杜伟; 鲁琳; 陈弘达; 金爱子; 张道中
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| 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 杨霏; 尹志岗; 柴春林; 吴金良
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