Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 | |
| 陈志刚; 张 杨; 杨富华 | |
| 2009-05-06 | |
| 专利权人 | 中科院半导体研究所 |
| 公开日期 | 3993 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2007-10-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200710176602 |
| 专利代理人 | 汤宝平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9170 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈志刚,张 杨,杨富华 . 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法[P]. 2009-05-06. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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