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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1714/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1807/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1610/227  |  提交时间:2011/08/31 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1886/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:550/75  |  提交时间:2014/11/17 |
| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/82  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1178/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-25 发明人: 姬小利; 郭金霞; 马平; 马骏; 魏同波; 伊晓燕; 王军喜; 杨富华; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1044/113  |  提交时间:2014/11/17 |
| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:622/73  |  提交时间:2014/10/29 |
| 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:626/93  |  提交时间:2014/10/29 |