已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1139/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1297/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1067/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1297/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1255/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深 Adobe PDF(802Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1519/197  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1172/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 林兰英; 王玉田; 何宏家; 钟兴儒 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1367/205  |  提交时间:2009/06/11 |
| 下开平动式直拉单晶炉 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 钟兴儒; 田金法; 吴金良; 林兰英; 陈诺夫 Adobe PDF(159Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1190/189  |  提交时间:2009/06/11 |