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| 硅纳米线晶体管量子输运特性及其传感器应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 郭仰岩
 Adobe PDF(7696Kb) |  收藏 | 浏览/下载：243/2 | 提交时间：2022/07/26 |
| 硅纳米线晶体管量子输运特性及其传感器应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 郭仰岩
Adobe PDF(7696Kb) | 收藏 | 浏览/下载：289/0 | 提交时间：2022/07/25 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
Adobe PDF(531Kb) | 收藏 | 浏览/下载：3233/1392 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan ; Ji An; Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1693/477 | 提交时间：2010/06/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
Adobe PDF(344Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1702/383 | 提交时间：2012/09/07 |
| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
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| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华
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| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华
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| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳
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