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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平
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| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB (Wei Tongbo); Wang JX (Wang Junxi); Li JM (Li Jinmin); Liu Z (Liu Zhe); Duan RF (Duan Ruifei); Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@mail.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波 ; 王军喜; 闫建昌; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马平; 魏同波; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波; 王军喜; 刘喆; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏同波; 王军喜; 李晋闽; 刘酷; 段瑞飞
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