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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu Y (Xu Ying); Diao HW (Diao Hong-Wei); Zhang SB (Zhang Shi-Bin); Li XD (Li Xu-Dong); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang WJ (Wang Wen-Jing); Liao XB (Liao Xian-Bo); Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王勇刚; 彭继迎; 檀慧明; 钱龙生; 柴路; 张志刚; 王清月; 林涛; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 任丙彦; 刘晓平; 许颖; 王敏花; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许颖; 刁宏伟; 张世斌; 励旭东; 曾湘波; 王文静; 廖显伯
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