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一种高质量InN薄膜的获取方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  康亭亭;  刘祥林
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电磁阀 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美;  赵风瑷
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氧化锌基的蓝光发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  丛伟光;  魏鸿源;  刘祥林
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一种高效率深紫外发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：963/170  |  提交时间：2009/06/11
一种近场光学增强型可见光探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RQ (Zhang Riqing);  Zhang PF (Zhang Panfeng);  Kang TT (Kang Tingting);  Fan HB (Fan Haibo);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ (Wu Jiejun);  Zhang GY (Zhang Guoyi);  Liu XL (Liu Xianglin);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Jia QJ (Jia Quanjie);  Guo LP (Guo Liping);  Wu, JJ, Peking Univ, Res Ctr Wide Gap Semicond, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  康亭亭;  张日清;  刘祥林
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