一种高质量InN薄膜的获取方法
张日清; 康亭亭; 刘祥林
2007-10-10
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-04-03
语种中文
申请号200610067134
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3887
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
张日清,康亭亭,刘祥林. 一种高质量InN薄膜的获取方法[P]. 2007-10-10.
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