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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao GH;  Li LS;  Guan M;  Zhao J;  Li YY;  Zeng YP;  Guan, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, guanmin@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵杰;  刘超;  李彦波;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li H;  Zhou K;  Pang JB;  Shao YD;  Wang Z;  Zhao YW;  Li, H, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. wangz@whu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  赵杰;  曾一平
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一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙国胜;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  杨挺;  吴海雷;  闫果果;  曾一平;  李晋闽
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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  郑柳;  董林;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
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HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2523/513  |  提交时间:2012/08/29