|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
 Adobe PDF(629Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1687/227 | 提交时间：2009/06/11 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
Adobe PDF(301Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1910/350 | 提交时间：2012/09/09 |
| 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 黄北举; 程传同; 张赞; 张赞允; 陈弘达
Adobe PDF(974Kb) | 收藏 | 浏览/下载：876/72 | 提交时间：2014/11/24 |
| 采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 黄北举; 张赞; 张赞允; 程传同; 毛旭瑞; 陈弘达
Adobe PDF(396Kb) | 收藏 | 浏览/下载：902/114 | 提交时间：2014/12/25 |
| 可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 张连; 曾建平; 魏同波; 闫建昌; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(734Kb) | 收藏 | 浏览/下载：727/91 | 提交时间：2014/11/17 |
| 生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 羊建坤; 魏同波; 霍自强; 张勇辉; 胡强; 段瑞飞; 王军喜
Adobe PDF(1673Kb) | 收藏 | 浏览/下载：827/50 | 提交时间：2014/10/31 |
| 具有空气桥结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽
Adobe PDF(1006Kb) | 收藏 | 浏览/下载：645/78 | 提交时间：2014/10/28 |
| 基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 吴奎; 魏同波; 蓝鼎; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李晋闽
Adobe PDF(530Kb) | 收藏 | 浏览/下载：646/83 | 提交时间：2014/10/28 |
| 蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽
Adobe PDF(1041Kb) | 收藏 | 浏览/下载：695/74 | 提交时间：2014/10/28 |
| 纳米柱发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 张逸韵; 李璟; 李晋闽
Adobe PDF(409Kb) | 收藏 | 浏览/下载：677/107 | 提交时间：2014/10/28 |
