SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法
黄北举; 张赞; 张赞允; 程传同; 毛旭瑞; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-05-08
申请号CN201410191727.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25928
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
黄北举,张赞,张赞允,等. 采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法.
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