SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1340/167  |  提交时间:2009/06/11
一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1082/178  |  提交时间:2009/06/11
半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1243/185  |  提交时间:2009/06/11
磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1160/159  |  提交时间:2009/06/11
下开平动式直拉单晶炉 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  钟兴儒;  田金法;  吴金良;  林兰英;  陈诺夫
Adobe PDF(159Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1188/189  |  提交时间:2009/06/11
锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陈晓锋;  陈诺夫;  吴金良;  张秀兰;  柴春林;  俞育德
Adobe PDF(285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/221  |  提交时间:2011/08/31
制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102169820A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  金兰;  曲胜春;  徐波
Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2133/453  |  提交时间:2012/08/29
基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  吴奎;  魏同波;  蓝鼎;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  张逸韵;  李晋闽
Adobe PDF(530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:618/83  |  提交时间:2014/10/28
广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  刘孔;  曲胜春;  谭付瑞;  唐爱伟;  金兰;  张君梦;  徐文清
Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:604/96  |  提交时间:2014/10/31