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Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Quantum Dots  High Index  Molecular Beam Epitaxy  Photoluminescence  Surface Segregation  Oriented Gaas  Ingaas  Islands  Wells  Disks  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Zhou W;  Ding D;  Jiang WH;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Jiang WH;  Liu FQ;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZM;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Inst Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁基本;  徐波;  龚谦;  韩勤;  周伟;  姜卫红;  刘会云;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许国阳;  颜学进;  朱洪亮;  段俐宏;  周帆;  田慧良;  白云霞;  王圩
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