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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng);  Lin T (Lin Tie);  Shang LY (Shang Li-Yan);  Huang ZM (Huang Zhi-Ming);  Cui LJ (Cui Li-Jie);  Li DL (Li Dong-Lin);  Gao HL (Gao Hong-Ling);  Zeng YP (Zeng Yi-Pine);  Guo SL (Guo Shao-Ling);  Gui YS (Gui Yong-Sheng);  Chu JH (Chu Jun-Hao);  Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.en
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng);  Lin T (Lin Tie);  Shang LY (Shang Li-Yan);  Huang ZM (Huang Zhi-Ming);  Zhu B (Zhu Bo);  Cui LJ (Cui Li-Jie);  Gao HL (Gao Hong-Ling);  Li DL (Li Dong-Lin);  Guo SL (Guo Shao-Ling);  Gui YS (Gui Yong-Sheng);  Chu JH (Chu Jun-Hao);  Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1021/310  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  朱博;  崔利杰;  高宏玲;  李东临;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1152/348  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  崔利杰;  李东临;  高宏玲;  曾一平;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
Adobe PDF(382Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1144/355  |  提交时间：2010/11/23