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Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张胜利;  孙建伟;  刘宇;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙建伟;  张胜利;  王幼林;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张胜利;  刘宇;  孙建伟;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄辉;  王兴妍;  王琦;  黄永清;  任晓敏;  高俊华;  张胜利;  刘宇;  祝宁华;  马骁宇;  杨晓红;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  桂永胜;  崔利杰;  曾一平;  黄志明;  疏小舟;  戴宁;  郭少令;  禇君浩
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