中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1489/233  |  提交时间：2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1257/227  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ran JX (Ran Junxue);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Li JP (Li Jianping);  Wang BZ (Wang Baozhu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1309/323  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang JX (Wang Junxi);  Hu GX (Hu Guoxin);  Guo LC (Guo Lunchun);  Li JP (Li Jianping);  Li JM (Li Jinmin);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(253Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1523/415  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang CB (Fang Cebao);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Hu GX (Hu Guoxin);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XY (Wang Xiaoyan);  Li JP (Li Jianping);  Wang JX (Wang Junxi);  Li CJ (Li Chengji);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1322/364  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang CM (Wang Cuimei);  Hu GX (Hu Guoxin);  Mao HL (Mao Hongling);  Fang CB (Fang Cebao);  Wang JX (Wang Junxi);  Ran JX (Ran Junxue);  Li HP (Li Hanping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1472/493  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan FW (Yan Fawang);  Gao HY (Gao Haiyong);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Wang GH (Wang Guohong);  Yang FH (Yang Fuhua);  Yan JC (Yan Jianchang);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li, Jinmin);  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fwyan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1374/493  |  提交时间：2010/03/29
直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
收藏  |  浏览/下载：2096/0  |  提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao GH (Cao Guohua);  Qin DS (Qin Dashan);  Cao JS (Cao Junsong);  Guan M (Guan Min);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Qin, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qindashan@yahoo.com.cn
Adobe PDF(105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1058/390  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao HY (Gao Haiyong);  Yan FW (Yan Fawang);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Li JM (Li Jinmin);  Wang JX (Wang Junxi);  Yan JC (Yan Jianchang);  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
Adobe PDF(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1292/473  |  提交时间：2010/03/29