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一种适合于大批量生产的激光器COD消除方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑凯;  马骁宇;  林涛;  刘素平;  张广泽
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数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑凯;  马骁宇;  林涛;  刘素平;  张广泽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen HB (Chen Haibo);  Li ZF (Li Zhaofeng);  Chen JJ (Chen Jianjun);  Liu W (Liu Wei);  Yang FH (Yang Fuhua);  Feng SL (Feng Songlin);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Chen, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1136/283  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JF (Wang Jian-Feng);  Zhang BS (Zhang Bao-Shun);  Zhang JC (Zhang Ji-Cai);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Chen J (Chen Jun);  Liu W (Liu Wei);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Yao DZ (Yao Duan-Zheng);  Yang H (Yang Hui);  Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@semi.ac.cn
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Zeng, YX (Zeng, Yuxin);  Liu, W (Liu, Wei);  Yang, FH (Yang, Fuhua);  Xu, P (Xu, Ping);  Tan, PH (Tan, Pingheng);  Zheng, HZ (Zheng, Houzhi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Xing, YJ (Xing, Yingjie);  Yu, DP (Yu, Dapeng);  Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas Quantum Dot  Photoluminescence  Modulation-doped  Field Effect Transistor  Mu-m  Capping Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Xiong SJ;  Liu J;  Zheng HZ;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨红波;  俞重远;  刘玉敏;  封强;  郑世奇;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kai Zheng;  Tao Lin;  Li Jiang;  Jun Wang;  Suping Liu;  Xin Wei;  Guangze Zang;  Xiaoyu Ma
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