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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李顺峰;  杨辉;  徐大鹏;  赵德刚;  孙小玲;  王玉田;  张书明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei HZ(魏红振);  Yu JZ(余金中);  Liu ZL(刘忠立);  Zhang XF(张晓峰);  Shi W(史伟);  Fang CS(房昌水)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘峰奇;  张永照;  张权生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  钱家骏;  叶小玲;  徐波;  韩勤;  陈涌海;  丁鼎;  梁基本;  刘峰奇;  张金福;  张秀兰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘舒曼;  刘峰奇;  张志华;  郭海清;  王占国
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