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| 锗铅合金材料外延生长及探测器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 刘香全
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| 硅基锗锡材料的生长及探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 赵越
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| 硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 杨巧林
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| 纳秒激光诱导金属表面功能性微纳结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 付金祥
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纳秒激光 微纳结构 陷光结构 润湿特性 结构色 |
| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
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高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 温娟娟
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Goi Rmg 光致发光 晶格旋转 Si-ge互扩散 |
