| 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究 | |
| 温娟娟 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 王启明 ; 成步文 |
| 2015-05-28 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | Goi Rmg 光致发光 晶格旋转 Si-ge互扩散 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2015-06-01 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26517 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 温娟娟. 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 毕业论文最终版-温娟娟-20150601（8079KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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