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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
江德生 [2]
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赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2009 [1]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [2]
1997 [1]
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英语 [7]
出处
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
会议论文
MATERIALS RESEARCH, Chongqing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-12, 2008
作者:
Zhao L
;
Lu ZX
;
Cheng CJ
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Sun BJ
;
Qu B
;
Zhang XF
;
Sun WG
;
Zhao, L, Luoyang Optoelect Inst, Luoyang, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Alxga1-xn
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Sun BQ
;
Bian L
;
Li LH
;
Pan Z
;
Wu RG
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Luminescence
Localization
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn
Anisotropic strain in (100) ZnSe epilayers grown on lattice mismatched substrates
会议论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 18 (4), SALT LAKE CITY, UTAH, JAN 16-20, 2000
作者:
Yang Z
;
Sou IK
;
Chen YH
;
Yang Z Hong Kong Univ Sci & Technol Adv Mat Res Inst Clearwater Bay Kowloon Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Reflectance Difference Spectroscopy
Znse/gaas Interface
States
Gaas
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Han WH
;
Yu JZ
;
Wang LC
;
Wei HZ
;
Zhang XF
;
Wang QM
;
Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Wafer Bonding
Heteroepitaxy
Lattice Mismatch
Edge-like Dislocations
Thermal Stress
60 Degrees Dislocation Lines
Gaas
Heteroepitaxy of cubic GaN: influence of interface structure
会议论文
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1997, (157), OXFORD, ENGLAND, APR 07-10, 1997
作者:
Trampert A
;
Brandt O
;
Yang H
;
Yang B
;
Ploog KH
;
Trampert A Paul Drude Inst Festkorperelekt Hausvogteipl 5-7 D-10117 Berlin Germany.
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Gan/gaas(001)
Growth