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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  潘岭峰;  李琪;  刘志强;  王晓峰;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜
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采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王良臣;  伊晓燕;  刘志强
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发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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