| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 |
| 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是LED的发光区域；步骤2：在台面上及外延层的四周，并覆盖部分外延层四周的上表面制作绝缘薄膜；步骤3：在绝缘薄膜上及覆盖外延层的上表面制作P电极；步骤4：然后用键合或电镀的方式，在P电极的上表面制作转移衬底；步骤5：采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底；步骤6：在去除衬底后的外延层的表面制作N电极，完成氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010251508.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010251508.0
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22131
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郭恩卿,刘志强,汪炼成,等. 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法. CN201010251508.0.
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