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MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韦欣
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一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人:  王科范;  张华荣;  彭成晓;  曲胜春;  王占国
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掺杂半导体材料生长设备及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-17
发明人:  金鹏;  王占国
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