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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2006
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WOS被引频次升序
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期刊影响因子降序
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
冉军学
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(335Kb)
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浏览/下载:1235/193
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提交时间:2009/06/11
半导体材料残余应力的测试装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
赵玲慧
;
曾一平
;
李成基
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浏览/下载:1170/207
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui CX
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ren YY
;
Zhao C
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(323Kb)
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浏览/下载:948/261
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1141/255
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li Z (Li Z.)
;
Li CJ (Li C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
Adobe PDF(175Kb)
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浏览/下载:869/264
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提交时间:2010/04/11
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(340Kb)
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浏览/下载:1433/261
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:
王占国
;
陈涌海
;
叶小玲
JPEG(7Kb)
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浏览/下载:4216/1018
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提交时间:2009/09/19
中国材料工程大典—信息功能材料工程
专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:
王占国
;
陈立泉
;
屠海令
JPEG(8Kb)
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浏览/下载:3254/605
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提交时间:2009/09/19
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Zhao M
;
Zhang CL
;
Xu B
;
Yu LK
;
Sun J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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浏览/下载:1672/335
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提交时间:2010/03/29
Monte Carlo Simulation
Raman scattering study on vibrational modes in Ga1-xMnxN prepared by Mn-ion implantation
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Islam MR
;
Chen NF
;
Yamada M
;
Islam, MR, Khulna Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Khulna 920300, Bangladesh. 电子邮箱地址: islambit@yahoo.com
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浏览/下载:1192/260
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提交时间:2010/03/29
Raman Scattering