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基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李稚博
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei M;  Wang XL;  Pan X;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Wang ZG;  Wei, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. mengw@semi.ac.cn
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1747/628  |  提交时间:2011/09/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, M;  Wang, XL;  Pan, X;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Hou, QF;  Wang, ZG;  Wei, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Mat Sci Ctr, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,mengw@semi.ac.cn
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Si衬底上GaN基材料MOCVD生长及HEMT性能分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  魏萌
Adobe PDF(2568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1323/142  |  提交时间:2011/06/10
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, Guoguo;  Sun, Guosheng;  Wu, Hailei;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Liu, Xingfang;  Zeng, Yiping;  Wen, Jialiang;  Yan, G.(ggyan@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Baozhu;  Yan, Cuiying;  Wang, Xiaoliang;  Wang, B.(wangbz@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng, QW;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Yin, HB;  Chen, H;  Lin, DF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Hou, X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,daven@semi.ac.cn
Adobe PDF(1414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1170/182  |  提交时间:2012/01/06
MOCVD生长GaN中与缺陷相关的现象研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  侯奇峰
Adobe PDF(3762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1258/136  |  提交时间:2011/06/03
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang LJ;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang ZG;  Yang CB;  Zhang ML
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