| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 | |
李稚博
| |
| 学位类型 | 博士后 |
| 导师 | 潘教青 |
| 2017-12 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 电子科技与技术 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2018-01-03 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28262 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李稚博. 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 出站报告-李稚博-基于SOI衬底InGa（4505KB） | 学位论文 | 终版 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | |
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