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对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  赵建华;  姬 扬;  郑厚植;  杨 威;  鲁 军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Iqbal J;  Liu XF;  Majid A;  Yu DP;  Yu RH;  Iqbal J Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Adv Mat Lab Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: javedsaggu73@yahoo.com;  rhyu@tsinghua.edu.cn
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TiO2纳米材料的电子结构和半导体材料的铁磁性 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  彭浩为
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HW;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng HJ;  Lu J;  Yan S;  Tan PH;  Zhao JH;  Meng HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, H;  Duan, Y;  Shi, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlshi@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘晓东;  王玮竹;  高瑞鑫;  赵建华;  文锦辉;  林位株;  赖天树
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制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  戴瑞烜;  陈诺夫;  彭长涛;  王鹏
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多孔硅基MnSb铁磁性薄膜和Y2O3:Eu的制备及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  戴瑞烜
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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  柴春林
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