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一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙飞;  余金中;  陈少武
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Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鹏;  陈诺夫;  尹志岗
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ran JX (Ran Junxue);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Li JP (Li Jianping);  Wang BZ (Wang Baozhu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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碳材料的拉曼光谱 专著
北京:化学工业出版社, 2007
作者:  谭平恒
JPEG(16Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：7430/1189  |  提交时间：2009/09/19
Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
过渡族金属掺杂稀磁半导体平均场理论研究和分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  郑玉宏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  张杨;  戴扬;  杨富华;  曾一平;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  包志华;  景为平;  罗向东;  谭平恒
Adobe PDF(358Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1072/372  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王志路;  孙宝权
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仲莉;  王俊;  冯小明;  王勇刚;  王翠鸾;  韩琳;  崇锋;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1318/384  |  提交时间：2010/11/23