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提高n型硅原位掺杂载流子浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文
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高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-05-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵有文
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang L;  Lin T;  Wei X;  Wang GH;  Zhang GZ;  Zhang HB;  Ma XY;  Jiang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Doping  Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Semiconducting Gallium Compounds  Erbium  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Su FH;  Zhu JJ;  Ding K;  Hsu CC;  Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, T;  Jiang, L;  Wei, X;  Wang, GH;  Zhang, GZ;  Ma, XY;  Lin, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lintao@htoe.com.cn
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等边三角形微腔和掺杂有机电致发光的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  陈晓红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗谦;  杨谟华;  杜江锋;  梅丁蕾;  王良臣;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李娜;  赵德刚;  杨辉
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