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提高n型硅原位掺杂载流子浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文
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高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-05-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵有文
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等边三角形微腔和掺杂有机电致发光的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  陈晓红
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗谦;  杨谟华;  杜江锋;  梅丁蕾;  王良臣;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李娜;  赵德刚;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  冯健;  李伟;  李照银
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾湘波;  廖显伯;  王博;  刁宏伟;  戴松涛;  向贤碧;  常秀兰;  徐艳月;  胡志华;  郝会颖;  孔光临
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郜定山;  李建光;  安俊明;  李健;  夏君磊;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  桂永胜;  崔利杰;  曾一平;  黄志明;  疏小舟;  戴宁;  郭少令;  禇君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1024/332  |  提交时间:2010/11/23