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在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  魏萌;  王晓亮;  潘旭;  李建平;  刘宏新;  王翠梅;  肖红领
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制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102169820A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  金兰;  曲胜春;  徐波
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