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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [22]
作者
段瑞飞 [2]
丁凯 [2]
魏同波 [1]
张连 [1]
文献类型
专利 [16]
期刊论文 [6]
发表日期
2014 [2]
2012 [3]
2010 [1]
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中文 [4]
英语 [3]
出处
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专题:中科院半导体照明研发中心
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期刊论文
作者:
Zhao, Y
;
Wang, G
;
Yang, HC
;
An, TL
;
Chen, MJ
;
Yu, F
;
Tao, L
;
Yang, JK
;
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Sun, LF
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浏览/下载:683/138
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Huo, ZQ
;
Zhang, YH
;
Zheng, HY
;
Chen, Y
;
Yang, JK
;
Hu, Q
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
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浏览/下载:816/166
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, X.F
;
Duan, Y
;
Cui, J.P
;
Zeng, Y.P
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浏览/下载:657/193
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提交时间:2013/05/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Wu, K
;
Chen, Y
;
Yu, J
;
Yan, Q
;
Zhang, YY
;
Duan, R
;
Wang, J
;
Zeng, Y
;
Li, JM
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浏览/下载:1074/237
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Chen, Y
;
Hu, Q
;
Yang, JK
;
Huo, ZQ
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Liao, YX
;
Yin, FT
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浏览/下载:1135/357
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
;
Wei XC (Wei X. C.)
;
Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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浏览/下载:1928/666
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提交时间:2010/06/18
利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张连
;
丁凯
;
王军喜
;
段瑞飞
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31
利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
丁凯
;
张连
;
王军喜
;
段瑞飞
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1758/264
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提交时间:2011/08/31
氮化镓生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
段瑞飞
;
魏同波
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1722/227
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提交时间:2011/08/31
减少激光剥离损伤的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
段瑞飞
;
王良臣
;
刘志强
;
季安
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1359/138
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提交时间:2011/08/31