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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiang Y (Xiang, Ying); Liu YK (Liu, Yi-Kun); Chen YH (Chen, Yong-Hai); Guo YB (Guo, Yu-Bing); Xu MY (Xu, Ming-Ya); Ding Z (Ding, Zhen); Xia T (Xia, Tian); Wang JH (Wang, Jia-Hui); Song YW (Song, Yi-Wu); Yang MZ (Yang, Ming-Ze); Wang E (Wang, Everett); Song YH (Song, Yu-Hong); Yang SL (Yang, Shun-Lin); She GQ (She, Guang-Quan)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun GS (Sun Guo-Sheng); Liu XF (Liu Xing-Fang); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Yang T (Yang Ting); Wu HL (Wu Hai-Lei); Yan GG (Yan Guo-Guo); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Ning J (Ning Jin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li JM (Li Jin-Min)
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| 光弹调制测量系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张宏毅; 陈涌海; 高寒松
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| 半导体材料微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 高寒松; 陈涌海; 张宏毅; 刘雨
Adobe PDF(527Kb) | 收藏 | 浏览/下载：725/104 | 提交时间：2014/11/17 |
| 材料的微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 高寒松; 陈涌海; 刘雨; 张宏毅; 黄威; 朱来攀; 李远; 邬庆
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种微区荧光扫描测量系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 秦旭东; 张宏毅; 叶小玲; 陈涌海
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