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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Tang GH (Tang Guang-Hua); Xu B (Xu Bo); Jiang; LW (Jiang Li-Wen); Kong JX (Kong Jin-Xia); Kong; N (Kong Ning); Liang DC (Liang De-Chun); Liang P (Liang Ping); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Jin P (Jin Peng); Liu FQ (Liu Feng-Qi); Chen YH (Chen Yong-Hai); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Tang, GH, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tghsugar@semi.ac.cn Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1529/453  |  提交时间:2010/04/28 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:810/90  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1039/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:889/33  |  提交时间:2014/10/28 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30 发明人: 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:975/105  |  提交时间:2014/10/24 |
| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:814/1  |  提交时间:2016/09/12 |