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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu W
;
Meng XQ
;
Qiao HX
;
Xie RH
;
Liu W Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China.
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浏览/下载:971/237
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘蕾
;
鲁华祥
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浏览/下载:783/312
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提交时间:2010/11/23
用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王保柱
;
王晓亮
;
王晓燕
;
王新华
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
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浏览/下载:1361/189
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin, GQ
;
Zeng, YP
;
Wang, XL
;
Liu, HX
;
Lin, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lingq@semi.ac.cn
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浏览/下载:1209/276
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
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浏览/下载:1292/471
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
林郭强
;
曾一平
;
王晓亮
;
刘宏新
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浏览/下载:912/301
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提交时间:2010/11/23
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
李晋闽
;
王军喜
;
王晓亮
;
王启元
;
刘宏新
;
王俊
;
曾一平
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浏览/下载:1378/227
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang BZ
;
Wang XL
;
Wang XY
;
Guo LC
;
Wang XH
;
Xiao HL
;
Liu HX
;
Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangbz@semi.ac.cn
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浏览/下载:1078/248
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提交时间:2010/03/29
High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111)
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Wang, XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang, XL (Wang, Xiaoliang)
;
Wang, BZ (Wang, Baozhu)
;
Xiao, HL (Xiao, Hongling)
;
Liu, HX (Liu, Hongxin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1731/341
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提交时间:2010/03/29
Buffer Layer
Stress
Photodiodes
Reduction
Detectors
Sapphire
Epitaxy
Growth
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Z
;
Wang JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Guo LC
;
Liu HX
;
Li JP
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jxwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:907/237
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提交时间:2010/04/11